Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
FQP33N10
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
номер части
FQP33N10
Производитель/Бренд
Ряд
QFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
127W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
33A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
51nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1500pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±25V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 14568 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова FQP33N10
FQP33N10 Электронные компоненты
FQP33N10 Продажи
FQP33N10 Поставщик
FQP33N10 Распределитель
FQP33N10 Таблица данных
FQP33N10 Фото
FQP33N10 Цена
FQP33N10 Предложение
FQP33N10 Низшая цена
FQP33N10 Поиск
FQP33N10 Покупка
FQP33N10 Chip