Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
FQU12N20TU
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
номер части
FQU12N20TU
Производитель/Бренд
Ряд
QFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Пакет устройств поставщика
I-PAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
9A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
23nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
910pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 25621 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова FQU12N20TU
FQU12N20TU Электронные компоненты
FQU12N20TU Продажи
FQU12N20TU Поставщик
FQU12N20TU Распределитель
FQU12N20TU Таблица данных
FQU12N20TU Фото
FQU12N20TU Цена
FQU12N20TU Предложение
FQU12N20TU Низшая цена
FQU12N20TU Поиск
FQU12N20TU Покупка
FQU12N20TU Chip