Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
HGT1S10N120BNST
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
номер части
HGT1S10N120BNST
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип ввода
Standard
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Мощность - Макс.
298W
Пакет устройств поставщика
TO-263AB
Время обратного восстановления (trr)
-
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
35A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
1200V
Тип БТИЗ
NPT
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Ток-коллекторный импульсный (Icm)
80A
Переключение энергии
320µJ (on), 800µJ (off)
Заряд от ворот
100nC
Td (вкл/выкл) при 25°C
23ns/165ns
Условия испытания
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 8368 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST Электронные компоненты
HGT1S10N120BNST Продажи
HGT1S10N120BNST Поставщик
HGT1S10N120BNST Распределитель
HGT1S10N120BNST Таблица данных
HGT1S10N120BNST Фото
HGT1S10N120BNST Цена
HGT1S10N120BNST Предложение
HGT1S10N120BNST Низшая цена
HGT1S10N120BNST Поиск
HGT1S10N120BNST Покупка
HGT1S10N120BNST Chip