Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
MMUN2112LT1G

MMUN2112LT1G

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
номер части
MMUN2112LT1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Мощность - Макс.
246mW
Пакет устройств поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)
500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Частота – переход
-
Резистор — база (R1)
22 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)
22 kOhms
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 31957 PCS
Контактная информация
Ключевые слова MMUN2112LT1G
MMUN2112LT1G Электронные компоненты
MMUN2112LT1G Продажи
MMUN2112LT1G Поставщик
MMUN2112LT1G Распределитель
MMUN2112LT1G Таблица данных
MMUN2112LT1G Фото
MMUN2112LT1G Цена
MMUN2112LT1G Предложение
MMUN2112LT1G Низшая цена
MMUN2112LT1G Поиск
MMUN2112LT1G Покупка
MMUN2112LT1G Chip