Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
MTD10N10ELT4

MTD10N10ELT4

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
номер части
MTD10N10ELT4
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
DPAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.75W (Ta), 40W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
10A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
15nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1040pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
±15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 9825 PCS
Контактная информация
Ключевые слова MTD10N10ELT4
MTD10N10ELT4 Электронные компоненты
MTD10N10ELT4 Продажи
MTD10N10ELT4 Поставщик
MTD10N10ELT4 Распределитель
MTD10N10ELT4 Таблица данных
MTD10N10ELT4 Фото
MTD10N10ELT4 Цена
MTD10N10ELT4 Предложение
MTD10N10ELT4 Низшая цена
MTD10N10ELT4 Поиск
MTD10N10ELT4 Покупка
MTD10N10ELT4 Chip