Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
MUN5112T1G

MUN5112T1G

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
номер части
MUN5112T1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SC-70, SOT-323
Мощность - Макс.
202mW
Пакет устройств поставщика
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)
500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Частота – переход
-
Резистор — база (R1)
22 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)
22 kOhms
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 21002 PCS
Контактная информация
Ключевые слова MUN5112T1G
MUN5112T1G Электронные компоненты
MUN5112T1G Продажи
MUN5112T1G Поставщик
MUN5112T1G Распределитель
MUN5112T1G Таблица данных
MUN5112T1G Фото
MUN5112T1G Цена
MUN5112T1G Предложение
MUN5112T1G Низшая цена
MUN5112T1G Поиск
MUN5112T1G Покупка
MUN5112T1G Chip