Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
MUN5132T1G

MUN5132T1G

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
номер части
MUN5132T1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SC-70, SOT-323
Мощность - Макс.
202mW
Пакет устройств поставщика
SC-70-3 (SOT323)
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)
500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
15 @ 5mA, 10V
Частота – переход
-
Резистор — база (R1)
4.7 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)
4.7 kOhms
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48130 PCS
Контактная информация
Ключевые слова MUN5132T1G
MUN5132T1G Электронные компоненты
MUN5132T1G Продажи
MUN5132T1G Поставщик
MUN5132T1G Распределитель
MUN5132T1G Таблица данных
MUN5132T1G Фото
MUN5132T1G Цена
MUN5132T1G Предложение
MUN5132T1G Низшая цена
MUN5132T1G Поиск
MUN5132T1G Покупка
MUN5132T1G Chip