Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
MUN5213DW1T1G

MUN5213DW1T1G

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
номер части
MUN5213DW1T1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Мощность - Макс.
250mW
Пакет устройств поставщика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)
500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Частота – переход
-
Резистор — база (R1)
47 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)
47 kOhms
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 17180 PCS
Контактная информация
Ключевые слова MUN5213DW1T1G
MUN5213DW1T1G Электронные компоненты
MUN5213DW1T1G Продажи
MUN5213DW1T1G Поставщик
MUN5213DW1T1G Распределитель
MUN5213DW1T1G Таблица данных
MUN5213DW1T1G Фото
MUN5213DW1T1G Цена
MUN5213DW1T1G Предложение
MUN5213DW1T1G Низшая цена
MUN5213DW1T1G Поиск
MUN5213DW1T1G Покупка
MUN5213DW1T1G Chip