Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NDD60N360U1-1G
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
номер части
NDD60N360U1-1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Пакет устройств поставщика
I-PAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
114W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
11A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
26nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
790pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±25V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 37988 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова NDD60N360U1-1G
NDD60N360U1-1G Электронные компоненты
NDD60N360U1-1G Продажи
NDD60N360U1-1G Поставщик
NDD60N360U1-1G Распределитель
NDD60N360U1-1G Таблица данных
NDD60N360U1-1G Фото
NDD60N360U1-1G Цена
NDD60N360U1-1G Предложение
NDD60N360U1-1G Низшая цена
NDD60N360U1-1G Поиск
NDD60N360U1-1G Покупка
NDD60N360U1-1G Chip