Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NDT01N60T1G

NDT01N60T1G

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
номер части
NDT01N60T1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-261-4, TO-261AA
Пакет устройств поставщика
SOT-223 (TO-261)
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
400mA (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
160pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 36713 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NDT01N60T1G
NDT01N60T1G Электронные компоненты
NDT01N60T1G Продажи
NDT01N60T1G Поставщик
NDT01N60T1G Распределитель
NDT01N60T1G Таблица данных
NDT01N60T1G Фото
NDT01N60T1G Цена
NDT01N60T1G Предложение
NDT01N60T1G Низшая цена
NDT01N60T1G Поиск
NDT01N60T1G Покупка
NDT01N60T1G Chip