Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NSV60100DMTWTBG

NSV60100DMTWTBG

DUAL TRANSISTOR PNP
номер части
NSV60100DMTWTBG
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
6-WDFN Exposed Pad
Мощность - Макс.
2.27W
Пакет устройств поставщика
6-WDFN (2x2)
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
1A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
60V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
300mV @ 100mA, 2A
Ток-отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
Частота – переход
155MHz
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 28331 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NSV60100DMTWTBG
NSV60100DMTWTBG Электронные компоненты
NSV60100DMTWTBG Продажи
NSV60100DMTWTBG Поставщик
NSV60100DMTWTBG Распределитель
NSV60100DMTWTBG Таблица данных
NSV60100DMTWTBG Фото
NSV60100DMTWTBG Цена
NSV60100DMTWTBG Предложение
NSV60100DMTWTBG Низшая цена
NSV60100DMTWTBG Поиск
NSV60100DMTWTBG Покупка
NSV60100DMTWTBG Chip