Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NTGS1135PT1G

NTGS1135PT1G

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
номер части
NTGS1135PT1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-23-6
Пакет устройств поставщика
6-TSOP
Рассеиваемая мощность (макс.)
970mW (Ta)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.6A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
850mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
21nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2200pF @ 6V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.2V, 4.5V
ВГС (Макс)
±6V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 12894 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NTGS1135PT1G
NTGS1135PT1G Электронные компоненты
NTGS1135PT1G Продажи
NTGS1135PT1G Поставщик
NTGS1135PT1G Распределитель
NTGS1135PT1G Таблица данных
NTGS1135PT1G Фото
NTGS1135PT1G Цена
NTGS1135PT1G Предложение
NTGS1135PT1G Низшая цена
NTGS1135PT1G Поиск
NTGS1135PT1G Покупка
NTGS1135PT1G Chip