Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NVD5117PLT4G-VF01

NVD5117PLT4G-VF01

MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
номер части
NVD5117PLT4G-VF01
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
DPAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
85nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4800pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 25380 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NVD5117PLT4G-VF01
NVD5117PLT4G-VF01 Электронные компоненты
NVD5117PLT4G-VF01 Продажи
NVD5117PLT4G-VF01 Поставщик
NVD5117PLT4G-VF01 Распределитель
NVD5117PLT4G-VF01 Таблица данных
NVD5117PLT4G-VF01 Фото
NVD5117PLT4G-VF01 Цена
NVD5117PLT4G-VF01 Предложение
NVD5117PLT4G-VF01 Низшая цена
NVD5117PLT4G-VF01 Поиск
NVD5117PLT4G-VF01 Покупка
NVD5117PLT4G-VF01 Chip