Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NP50P06KDG-E1-AY

NP50P06KDG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
номер части
NP50P06KDG-E1-AY
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
TO-263
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 90W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
50A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
95nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
5000pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 43586 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NP50P06KDG-E1-AY
NP50P06KDG-E1-AY Электронные компоненты
NP50P06KDG-E1-AY Продажи
NP50P06KDG-E1-AY Поставщик
NP50P06KDG-E1-AY Распределитель
NP50P06KDG-E1-AY Таблица данных
NP50P06KDG-E1-AY Фото
NP50P06KDG-E1-AY Цена
NP50P06KDG-E1-AY Предложение
NP50P06KDG-E1-AY Низшая цена
NP50P06KDG-E1-AY Поиск
NP50P06KDG-E1-AY Покупка
NP50P06KDG-E1-AY Chip