Купить Renesas Electronics America RJK2006DPE-00#J3 MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

RJK2006DPE-00#J3

MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

номер части

RJK2006DPE-00#J3

Производитель/Бренд

Renesas Electronics America

Ряд

Статус детали

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

SC-83

Пакет устройств поставщика

4-LDPAK

Рассеиваемая мощность (макс.)

100W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

200V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

40A (Ta)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

43nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1800pF @ 25V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

10V

ВГС (Макс)

±30V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 26855 PCS

Контактная информация