Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EMD3T2R

EMD3T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
номер части
EMD3T2R
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-563, SOT-666
Мощность - Макс.
150mW
Пакет устройств поставщика
EMT6
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)
500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Частота – переход
250MHz
Резистор — база (R1)
10 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)
10 kOhms
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48757 PCS
Контактная информация
Ключевые слова EMD3T2R
EMD3T2R Электронные компоненты
EMD3T2R Продажи
EMD3T2R Поставщик
EMD3T2R Распределитель
EMD3T2R Таблица данных
EMD3T2R Фото
EMD3T2R Цена
EMD3T2R Предложение
EMD3T2R Низшая цена
EMD3T2R Поиск
EMD3T2R Покупка
EMD3T2R Chip