Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EMD59T2R

EMD59T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
номер части
EMD59T2R
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-563, SOT-666
Мощность - Макс.
150mW
Пакет устройств поставщика
EMT6
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)
500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Частота – переход
250MHz
Резистор — база (R1)
10 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)
47 kOhms
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 33326 PCS
Контактная информация
Ключевые слова EMD59T2R
EMD59T2R Электронные компоненты
EMD59T2R Продажи
EMD59T2R Поставщик
EMD59T2R Распределитель
EMD59T2R Таблица данных
EMD59T2R Фото
EMD59T2R Цена
EMD59T2R Предложение
EMD59T2R Низшая цена
EMD59T2R Поиск
EMD59T2R Покупка
EMD59T2R Chip