Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EMD9T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
номер части
EMD9T2R
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-563, SOT-666
Мощность - Макс.
150mW
Пакет устройств поставщика
EMT6
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)
500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Частота – переход
250MHz
Резистор — база (R1)
10 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)
47 kOhms
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 21217 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EMD9T2R
EMD9T2R Электронные компоненты
EMD9T2R Продажи
EMD9T2R Поставщик
EMD9T2R Распределитель
EMD9T2R Таблица данных
EMD9T2R Фото
EMD9T2R Цена
EMD9T2R Предложение
EMD9T2R Низшая цена
EMD9T2R Поиск
EMD9T2R Покупка
EMD9T2R Chip