Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
ES6U3T2CR

ES6U3T2CR

MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
номер части
ES6U3T2CR
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-563, SOT-666
Пакет устройств поставщика
6-WEMT
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
Schottky Diode (Isolated)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.4A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
1.4nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
70pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 30144 PCS
Контактная информация
Ключевые слова ES6U3T2CR
ES6U3T2CR Электронные компоненты
ES6U3T2CR Продажи
ES6U3T2CR Поставщик
ES6U3T2CR Распределитель
ES6U3T2CR Таблица данных
ES6U3T2CR Фото
ES6U3T2CR Цена
ES6U3T2CR Предложение
ES6U3T2CR Низшая цена
ES6U3T2CR Поиск
ES6U3T2CR Покупка
ES6U3T2CR Chip