Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
RGT30NS65DGTL

RGT30NS65DGTL

IGBT 650V 30A 133W TO-263S
номер части
RGT30NS65DGTL
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип ввода
Standard
Рабочая Температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Мощность - Макс.
133W
Пакет устройств поставщика
LPDS (TO-263S)
Время обратного восстановления (trr)
55ns
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
30A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
650V
Тип БТИЗ
Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 15A
Ток-коллекторный импульсный (Icm)
45A
Переключение энергии
-
Заряд от ворот
32nC
Td (вкл/выкл) при 25°C
18ns/64ns
Условия испытания
400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 33004 PCS
Контактная информация
Ключевые слова RGT30NS65DGTL
RGT30NS65DGTL Электронные компоненты
RGT30NS65DGTL Продажи
RGT30NS65DGTL Поставщик
RGT30NS65DGTL Распределитель
RGT30NS65DGTL Таблица данных
RGT30NS65DGTL Фото
RGT30NS65DGTL Цена
RGT30NS65DGTL Предложение
RGT30NS65DGTL Низшая цена
RGT30NS65DGTL Поиск
RGT30NS65DGTL Покупка
RGT30NS65DGTL Chip