Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
PD20010-E
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
номер части
PD20010-E
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Напряжение - номинальное
40V
Частота
2GHz
Пакет/кейс
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Текущий рейтинг
5A
Пакет устройств поставщика
PowerSO-10RF (Formed Lead)
Выходная мощность
10W
Тип транзистора
LDMOS
Прирост
11dB
Напряжение - Тест
13.6V
Коэффициент шума
-
Текущий — Тест
150mA
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 43420 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова PD20010-E
PD20010-E Электронные компоненты
PD20010-E Продажи
PD20010-E Поставщик
PD20010-E Распределитель
PD20010-E Таблица данных
PD20010-E Фото
PD20010-E Цена
PD20010-E Предложение
PD20010-E Низшая цена
PD20010-E Поиск
PD20010-E Покупка
PD20010-E Chip