Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SCT10N120

SCT10N120

MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
номер части
SCT10N120
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
HiP247™
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
22nC @ 20V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
290pF @ 400V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
20V
ВГС (Макс)
+25V, -10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 45216 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SCT10N120
SCT10N120 Электронные компоненты
SCT10N120 Продажи
SCT10N120 Поставщик
SCT10N120 Распределитель
SCT10N120 Таблица данных
SCT10N120 Фото
SCT10N120 Цена
SCT10N120 Предложение
SCT10N120 Низшая цена
SCT10N120 Поиск
SCT10N120 Покупка
SCT10N120 Chip