Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
STB200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
номер части
STB200N6F3
Производитель/Бренд
Ряд
STripFET™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
D2PAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
330W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
120A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
100nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
6800pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 31357 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова STB200N6F3
STB200N6F3 Электронные компоненты
STB200N6F3 Продажи
STB200N6F3 Поставщик
STB200N6F3 Распределитель
STB200N6F3 Таблица данных
STB200N6F3 Фото
STB200N6F3 Цена
STB200N6F3 Предложение
STB200N6F3 Низшая цена
STB200N6F3 Поиск
STB200N6F3 Покупка
STB200N6F3 Chip