Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
STP10N60M2

STP10N60M2

MOSFET N-CH 600V TO-220
номер части
STP10N60M2
Производитель/Бренд
Ряд
MDmesh™ II Plus
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220
Рассеиваемая мощность (макс.)
85W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
7.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
13.5nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
400pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±25V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 21395 PCS
Контактная информация
Ключевые слова STP10N60M2
STP10N60M2 Электронные компоненты
STP10N60M2 Продажи
STP10N60M2 Поставщик
STP10N60M2 Распределитель
STP10N60M2 Таблица данных
STP10N60M2 Фото
STP10N60M2 Цена
STP10N60M2 Предложение
STP10N60M2 Низшая цена
STP10N60M2 Поиск
STP10N60M2 Покупка
STP10N60M2 Chip