Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
TPS1100DG4

TPS1100DG4

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
номер части
TPS1100DG4
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика
8-SOIC
Рассеиваемая мощность (макс.)
791mW (Ta)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
15V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.6A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
5.45nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.7V, 10V
ВГС (Макс)
+2V, -15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 5992 PCS
Контактная информация
Ключевые слова TPS1100DG4
TPS1100DG4 Электронные компоненты
TPS1100DG4 Продажи
TPS1100DG4 Поставщик
TPS1100DG4 Распределитель
TPS1100DG4 Таблица данных
TPS1100DG4 Фото
TPS1100DG4 Цена
TPS1100DG4 Предложение
TPS1100DG4 Низшая цена
TPS1100DG4 Поиск
TPS1100DG4 Покупка
TPS1100DG4 Chip