Купить Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6 IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

TH58BYG2S3HBAI6

IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA

номер части

TH58BYG2S3HBAI6

Производитель/Бренд

Toshiba Memory America, Inc.

Ряд

Benand™

Статус детали

Active

Упаковка

Tray

Технологии

FLASH - NAND (SLC)

Рабочая Температура

-40°C ~ 85°C (TA)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

67-VFBGA

Пакет устройств поставщика

67-VFBGA (6.5x8)

Напряжение питания

1.7 V ~ 1.95 V

Тип памяти

Non-Volatile

Объем памяти

4Gb (512M x 8)

Время доступа

25ns

Тактовая частота

Формат памяти

Flash

Время цикла записи — Word, Page

25ns

Интерфейс памяти

Parallel

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 16802 PCS

Контактная информация