Купить Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P(TE12L,F) RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

MT3S111P(TE12L,F)

RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

номер части

MT3S111P(TE12L,F)

Производитель/Бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Ряд

Статус детали

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Рабочая Температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

TO-243AA

Мощность - Макс.

Пакет устройств поставщика

PW-MINI

Тип транзистора

NPN

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

100mA

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Частота – переход

8GHz

Коэффициент шума (дБ, тип @ f)

1.25dB @ 1GHz

Прирост

10.5dB

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 49623 PCS

Контактная информация