Купить Toshiba Semiconductor and Storage RN1702JE(TE85L,F) TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

RN1702JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

номер части

RN1702JE(TE85L,F)

Производитель/Бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Ряд

Статус детали

Discontinued at Digi-Key

Упаковка

Digi-Reel®

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

SOT-553

Мощность - Макс.

100mW

Пакет устройств поставщика

ESV

Тип транзистора

2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Ток-Коллектор (Ic) (Макс)

100mA

Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)

50V

Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Ток-отсечка коллектора (макс.)

100nA (ICBO)

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Частота – переход

250MHz

Резистор — база (R1)

10 kOhms

Резистор — база эмиттера (R2)

10 kOhms

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 18886 PCS

Контактная информация