Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
номер части
TPN2010FNH,L1Q
Производитель/Бренд
Ряд
U-MOSVIII-H
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-PowerVDFN
Пакет устройств поставщика
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
5.6A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
7nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
600pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 45767 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова TPN2010FNH,L1Q
TPN2010FNH,L1Q Электронные компоненты
TPN2010FNH,L1Q Продажи
TPN2010FNH,L1Q Поставщик
TPN2010FNH,L1Q Распределитель
TPN2010FNH,L1Q Таблица данных
TPN2010FNH,L1Q Фото
TPN2010FNH,L1Q Цена
TPN2010FNH,L1Q Предложение
TPN2010FNH,L1Q Низшая цена
TPN2010FNH,L1Q Поиск
TPN2010FNH,L1Q Покупка
TPN2010FNH,L1Q Chip