Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
HCT7000M
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
номер части
HCT7000M
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Bulk
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
3-SMD, No Lead
Пакет устройств поставщика
3-SMD
Рассеиваемая мощность (макс.)
300mW (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
200mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
60pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±40V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 15859 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова HCT7000M
HCT7000M Электронные компоненты
HCT7000M Продажи
HCT7000M Поставщик
HCT7000M Распределитель
HCT7000M Таблица данных
HCT7000M Фото
HCT7000M Цена
HCT7000M Предложение
HCT7000M Низшая цена
HCT7000M Поиск
HCT7000M Покупка
HCT7000M Chip