Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRFD010

IRFD010

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
номер части
IRFD010
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Пакет устройств поставщика
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
50V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.7A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 860mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
13nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
250pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 47917 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRFD010
IRFD010 Электронные компоненты
IRFD010 Продажи
IRFD010 Поставщик
IRFD010 Распределитель
IRFD010 Таблица данных
IRFD010 Фото
IRFD010 Цена
IRFD010 Предложение
IRFD010 Низшая цена
IRFD010 Поиск
IRFD010 Покупка
IRFD010 Chip