Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRFD9110PBF

IRFD9110PBF

MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
номер части
IRFD9110PBF
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Пакет устройств поставщика
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
700mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 420mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8.7nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
200pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 6352 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRFD9110PBF
IRFD9110PBF Электронные компоненты
IRFD9110PBF Продажи
IRFD9110PBF Поставщик
IRFD9110PBF Распределитель
IRFD9110PBF Таблица данных
IRFD9110PBF Фото
IRFD9110PBF Цена
IRFD9110PBF Предложение
IRFD9110PBF Низшая цена
IRFD9110PBF Поиск
IRFD9110PBF Покупка
IRFD9110PBF Chip