Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI1002R-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
номер части
SI1002R-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SC-75A
Пакет устройств поставщика
SC-75A
Рассеиваемая мощность (макс.)
220mW (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
610mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
560 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2nC @ 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
36pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.5V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 53265 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SI1002R-T1-GE3
SI1002R-T1-GE3 Электронные компоненты
SI1002R-T1-GE3 Продажи
SI1002R-T1-GE3 Поставщик
SI1002R-T1-GE3 Распределитель
SI1002R-T1-GE3 Таблица данных
SI1002R-T1-GE3 Фото
SI1002R-T1-GE3 Цена
SI1002R-T1-GE3 Предложение
SI1002R-T1-GE3 Низшая цена
SI1002R-T1-GE3 Поиск
SI1002R-T1-GE3 Покупка
SI1002R-T1-GE3 Chip