Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI3529DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
номер части
SI3529DV-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Мощность - Макс.
1.4W
Пакет устройств поставщика
6-TSOP
Тип полевого транзистора
N and P-Channel
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2.5A, 1.95A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
7nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
205pF @ 20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48153 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SI3529DV-T1-E3
SI3529DV-T1-E3 Электронные компоненты
SI3529DV-T1-E3 Продажи
SI3529DV-T1-E3 Поставщик
SI3529DV-T1-E3 Распределитель
SI3529DV-T1-E3 Таблица данных
SI3529DV-T1-E3 Фото
SI3529DV-T1-E3 Цена
SI3529DV-T1-E3 Предложение
SI3529DV-T1-E3 Низшая цена
SI3529DV-T1-E3 Поиск
SI3529DV-T1-E3 Покупка
SI3529DV-T1-E3 Chip