Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
номер части
SI3900DV-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Мощность - Макс.
830mW
Пакет устройств поставщика
6-TSOP
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 41465 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI3900DV-T1-GE3
SI3900DV-T1-GE3 Электронные компоненты
SI3900DV-T1-GE3 Продажи
SI3900DV-T1-GE3 Поставщик
SI3900DV-T1-GE3 Распределитель
SI3900DV-T1-GE3 Таблица данных
SI3900DV-T1-GE3 Фото
SI3900DV-T1-GE3 Цена
SI3900DV-T1-GE3 Предложение
SI3900DV-T1-GE3 Низшая цена
SI3900DV-T1-GE3 Поиск
SI3900DV-T1-GE3 Покупка
SI3900DV-T1-GE3 Chip