Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI3993DV-T1-E3

SI3993DV-T1-E3

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
номер части
SI3993DV-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Мощность - Макс.
830mW
Пакет устройств поставщика
6-TSOP
Тип полевого транзистора
2 P-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.8A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
133 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 12238 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI3993DV-T1-E3
SI3993DV-T1-E3 Электронные компоненты
SI3993DV-T1-E3 Продажи
SI3993DV-T1-E3 Поставщик
SI3993DV-T1-E3 Распределитель
SI3993DV-T1-E3 Таблица данных
SI3993DV-T1-E3 Фото
SI3993DV-T1-E3 Цена
SI3993DV-T1-E3 Предложение
SI3993DV-T1-E3 Низшая цена
SI3993DV-T1-E3 Поиск
SI3993DV-T1-E3 Покупка
SI3993DV-T1-E3 Chip