Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
номер части
SI4100DY-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика
8-SO
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6.8A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
20nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
600pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
6V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 36656 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI4100DY-T1-E3
SI4100DY-T1-E3 Электронные компоненты
SI4100DY-T1-E3 Продажи
SI4100DY-T1-E3 Поставщик
SI4100DY-T1-E3 Распределитель
SI4100DY-T1-E3 Таблица данных
SI4100DY-T1-E3 Фото
SI4100DY-T1-E3 Цена
SI4100DY-T1-E3 Предложение
SI4100DY-T1-E3 Низшая цена
SI4100DY-T1-E3 Поиск
SI4100DY-T1-E3 Покупка
SI4100DY-T1-E3 Chip