Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
номер части
SI4102DY-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика
8-SO
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3.8A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
158 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
11nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
370pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
6V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 5430 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI4102DY-T1-GE3
SI4102DY-T1-GE3 Электронные компоненты
SI4102DY-T1-GE3 Продажи
SI4102DY-T1-GE3 Поставщик
SI4102DY-T1-GE3 Распределитель
SI4102DY-T1-GE3 Таблица данных
SI4102DY-T1-GE3 Фото
SI4102DY-T1-GE3 Цена
SI4102DY-T1-GE3 Предложение
SI4102DY-T1-GE3 Низшая цена
SI4102DY-T1-GE3 Поиск
SI4102DY-T1-GE3 Покупка
SI4102DY-T1-GE3 Chip