Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
номер части
SI4500BDY-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Мощность - Макс.
1.3W
Пакет устройств поставщика
8-SO
Тип полевого транзистора
N and P-Channel, Common Drain
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6.6A, 3.8A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 27345 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI4500BDY-T1-E3
SI4500BDY-T1-E3 Электронные компоненты
SI4500BDY-T1-E3 Продажи
SI4500BDY-T1-E3 Поставщик
SI4500BDY-T1-E3 Распределитель
SI4500BDY-T1-E3 Таблица данных
SI4500BDY-T1-E3 Фото
SI4500BDY-T1-E3 Цена
SI4500BDY-T1-E3 Предложение
SI4500BDY-T1-E3 Низшая цена
SI4500BDY-T1-E3 Поиск
SI4500BDY-T1-E3 Покупка
SI4500BDY-T1-E3 Chip