Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI4618DY-T1-GE3

SI4618DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
номер части
SI4618DY-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Мощность - Макс.
1.98W, 4.16W
Пакет устройств поставщика
8-SO
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Half Bridge)
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
8A, 15.2A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
44nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1535pF @ 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 36176 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI4618DY-T1-GE3
SI4618DY-T1-GE3 Электронные компоненты
SI4618DY-T1-GE3 Продажи
SI4618DY-T1-GE3 Поставщик
SI4618DY-T1-GE3 Распределитель
SI4618DY-T1-GE3 Таблица данных
SI4618DY-T1-GE3 Фото
SI4618DY-T1-GE3 Цена
SI4618DY-T1-GE3 Предложение
SI4618DY-T1-GE3 Низшая цена
SI4618DY-T1-GE3 Поиск
SI4618DY-T1-GE3 Покупка
SI4618DY-T1-GE3 Chip