Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI5402BDC-T1-E3

SI5402BDC-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
номер части
SI5402BDC-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SMD, Flat Lead
Пакет устройств поставщика
1206-8 ChipFET™
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.9A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
20nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 28067 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI5402BDC-T1-E3
SI5402BDC-T1-E3 Электронные компоненты
SI5402BDC-T1-E3 Продажи
SI5402BDC-T1-E3 Поставщик
SI5402BDC-T1-E3 Распределитель
SI5402BDC-T1-E3 Таблица данных
SI5402BDC-T1-E3 Фото
SI5402BDC-T1-E3 Цена
SI5402BDC-T1-E3 Предложение
SI5402BDC-T1-E3 Низшая цена
SI5402BDC-T1-E3 Поиск
SI5402BDC-T1-E3 Покупка
SI5402BDC-T1-E3 Chip