Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI5471DC-T1-GE3

SI5471DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
номер части
SI5471DC-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SMD, Flat Lead
Пакет устройств поставщика
1206-8 ChipFET™
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
96nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2945pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.8V, 4.5V
ВГС (Макс)
±12V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 54592 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI5471DC-T1-GE3
SI5471DC-T1-GE3 Электронные компоненты
SI5471DC-T1-GE3 Продажи
SI5471DC-T1-GE3 Поставщик
SI5471DC-T1-GE3 Распределитель
SI5471DC-T1-GE3 Таблица данных
SI5471DC-T1-GE3 Фото
SI5471DC-T1-GE3 Цена
SI5471DC-T1-GE3 Предложение
SI5471DC-T1-GE3 Низшая цена
SI5471DC-T1-GE3 Поиск
SI5471DC-T1-GE3 Покупка
SI5471DC-T1-GE3 Chip