Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI5902BDC-T1-E3

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
номер части
SI5902BDC-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SMD, Flat Lead
Мощность - Макс.
3.12W
Пакет устройств поставщика
-
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
7nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
220pF @ 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 35677 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI5902BDC-T1-E3
SI5902BDC-T1-E3 Электронные компоненты
SI5902BDC-T1-E3 Продажи
SI5902BDC-T1-E3 Поставщик
SI5902BDC-T1-E3 Распределитель
SI5902BDC-T1-E3 Таблица данных
SI5902BDC-T1-E3 Фото
SI5902BDC-T1-E3 Цена
SI5902BDC-T1-E3 Предложение
SI5902BDC-T1-E3 Низшая цена
SI5902BDC-T1-E3 Поиск
SI5902BDC-T1-E3 Покупка
SI5902BDC-T1-E3 Chip