Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI5933DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
номер части
SI5933DC-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SMD, Flat Lead
Мощность - Макс.
1.1W
Пакет устройств поставщика
1206-8 ChipFET™
Тип полевого транзистора
2 P-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2.7A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 24736 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SI5933DC-T1-E3
SI5933DC-T1-E3 Электронные компоненты
SI5933DC-T1-E3 Продажи
SI5933DC-T1-E3 Поставщик
SI5933DC-T1-E3 Распределитель
SI5933DC-T1-E3 Таблица данных
SI5933DC-T1-E3 Фото
SI5933DC-T1-E3 Цена
SI5933DC-T1-E3 Предложение
SI5933DC-T1-E3 Низшая цена
SI5933DC-T1-E3 Поиск
SI5933DC-T1-E3 Покупка
SI5933DC-T1-E3 Chip