Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI5999EDU-T1-GE3

SI5999EDU-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
номер части
SI5999EDU-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Last Time Buy
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Мощность - Макс.
10.4W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® ChipFet Dual
Тип полевого транзистора
2 P-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
59 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
20nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
496pF @ 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 33038 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI5999EDU-T1-GE3
SI5999EDU-T1-GE3 Электронные компоненты
SI5999EDU-T1-GE3 Продажи
SI5999EDU-T1-GE3 Поставщик
SI5999EDU-T1-GE3 Распределитель
SI5999EDU-T1-GE3 Таблица данных
SI5999EDU-T1-GE3 Фото
SI5999EDU-T1-GE3 Цена
SI5999EDU-T1-GE3 Предложение
SI5999EDU-T1-GE3 Низшая цена
SI5999EDU-T1-GE3 Поиск
SI5999EDU-T1-GE3 Покупка
SI5999EDU-T1-GE3 Chip