Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
номер части
SI7102DN-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® 1212-8
Пакет устройств поставщика
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
110nC @ 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3720pF @ 6V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 20580 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI7102DN-T1-E3
SI7102DN-T1-E3 Электронные компоненты
SI7102DN-T1-E3 Продажи
SI7102DN-T1-E3 Поставщик
SI7102DN-T1-E3 Распределитель
SI7102DN-T1-E3 Таблица данных
SI7102DN-T1-E3 Фото
SI7102DN-T1-E3 Цена
SI7102DN-T1-E3 Предложение
SI7102DN-T1-E3 Низшая цена
SI7102DN-T1-E3 Поиск
SI7102DN-T1-E3 Покупка
SI7102DN-T1-E3 Chip