Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI7117DN-T1-E3

SI7117DN-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
номер части
SI7117DN-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® 1212-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® 1212-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2.17A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
12nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
510pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
6V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 28540 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI7117DN-T1-E3
SI7117DN-T1-E3 Электронные компоненты
SI7117DN-T1-E3 Продажи
SI7117DN-T1-E3 Поставщик
SI7117DN-T1-E3 Распределитель
SI7117DN-T1-E3 Таблица данных
SI7117DN-T1-E3 Фото
SI7117DN-T1-E3 Цена
SI7117DN-T1-E3 Предложение
SI7117DN-T1-E3 Низшая цена
SI7117DN-T1-E3 Поиск
SI7117DN-T1-E3 Покупка
SI7117DN-T1-E3 Chip