Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIA910EDJ-T1-GE3

SIA910EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
номер части
SIA910EDJ-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Мощность - Макс.
7.8W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.5A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
16nC @ 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
455pF @ 6V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 22346 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIA910EDJ-T1-GE3
SIA910EDJ-T1-GE3 Электронные компоненты
SIA910EDJ-T1-GE3 Продажи
SIA910EDJ-T1-GE3 Поставщик
SIA910EDJ-T1-GE3 Распределитель
SIA910EDJ-T1-GE3 Таблица данных
SIA910EDJ-T1-GE3 Фото
SIA910EDJ-T1-GE3 Цена
SIA910EDJ-T1-GE3 Предложение
SIA910EDJ-T1-GE3 Низшая цена
SIA910EDJ-T1-GE3 Поиск
SIA910EDJ-T1-GE3 Покупка
SIA910EDJ-T1-GE3 Chip