Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIB911DK-T1-GE3

SIB911DK-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
номер части
SIB911DK-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Мощность - Макс.
3.1W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Тип полевого транзистора
2 P-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2.6A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
4nC @ 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
115pF @ 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 20321 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIB911DK-T1-GE3
SIB911DK-T1-GE3 Электронные компоненты
SIB911DK-T1-GE3 Продажи
SIB911DK-T1-GE3 Поставщик
SIB911DK-T1-GE3 Распределитель
SIB911DK-T1-GE3 Таблица данных
SIB911DK-T1-GE3 Фото
SIB911DK-T1-GE3 Цена
SIB911DK-T1-GE3 Предложение
SIB911DK-T1-GE3 Низшая цена
SIB911DK-T1-GE3 Поиск
SIB911DK-T1-GE3 Покупка
SIB911DK-T1-GE3 Chip