Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
номер части
SIB912DK-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Мощность - Макс.
3.1W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1.5A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
3nC @ 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
95pF @ 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 26980 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIB912DK-T1-GE3
SIB912DK-T1-GE3 Электронные компоненты
SIB912DK-T1-GE3 Продажи
SIB912DK-T1-GE3 Поставщик
SIB912DK-T1-GE3 Распределитель
SIB912DK-T1-GE3 Таблица данных
SIB912DK-T1-GE3 Фото
SIB912DK-T1-GE3 Цена
SIB912DK-T1-GE3 Предложение
SIB912DK-T1-GE3 Низшая цена
SIB912DK-T1-GE3 Поиск
SIB912DK-T1-GE3 Покупка
SIB912DK-T1-GE3 Chip